启闳半导体科技（江苏）有限公司

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磁性隧道结（MJT），通常是2层铁磁层夹着一层薄绝缘壁垒层，显示出双稳定态的隧穿磁电阻（TMR），作为MRAM 中的存储单元。TMR是由于“自由”的铁磁层相对于“固定”层自旋平行或反平行而产生的。CoFeB/MgO/CoFeB结构的MTJ可以产生高达约500%的 TMR比率（也就是说约5倍于传统基于 AI-O 的MIJT）。典型的 MRAM单元有1T-1MJT（即一个MJT 垂直在一个MOS...

双稳定态电阻开关效应被发现存在于钙钛矿氧化物（如 SrTiO3，SrZrO3（SZO），PCMO, PZTO）、过渡金属氧化物（如Ni-O,Cu-O, W-O, TiON,Zr-O,Fe-O）、固体电解质甚至聚合物中。开关机制（而不是结构相变）主要基于导电纤维的生长和破裂，这与金属离子、O离子/空穴、去氧化、电子俘获/反俘获（mott 过渡）、高场介电击穿和热效应有关。RRAM 单元主要包括...

相变存储器顺利 朝向低操作电压、高编程速度、低功耗、廉价和高寿（108～1014）的方向发展，这种技术有望在未来取代NOR/NAND 甚至是DRAM。相变存储器最常见的材料是在“蘑菇”形单元（见图3.23）中的带有掺杂（一些N和 O）的GST 硫化物合金（一种介于 GeTe 和Sb2Te3之间的伪二元化合物）。减小单元结构中用于转换无定形（高阻）和晶化（低阻）状态的底部加热器尺寸和材料的临界...

FeRAM基于电容中的铁电极化，（相对于传统的浮栅闪存）有低功耗、低操作电压（1V）、高写寿命（1012）和编程快（＜100ns）等优点。铁电 MiM 电容（见图3.21）可与后端制程（BEOL）集成，电容被完全封闭起来（避免由磁场强度引起的退化）。铁电电容的工艺流程如图3.22所示。FeRAM 中研究最多的材料是 PZT （PbZrxTixO3），SBT（SrBi2Ta2O9），BTO （...

闪存自1990年以来就作为主流 NVM被迅速推动发展，这也归结于数据非易失性存储、高速编程/擦写、高度集成等方面快速增长的需求。闪存是基于传统的多层浮栅结构（比如 MOSFET 的多层栅介质），通过存储在浮栅上的电荷来调制晶体管的阈值电压（代表数据1和0）。写和擦除的操作就简单对应为浮栅上电荷的增加和去除。目前的闪存大体有 NOR与NAND 两种结构，它们的集成度已达到Gb 量级，但局限也非...

DRAM 是精密计算系统中的一个关键存储器，并且在尺寸缩小和高级芯片设计的推动下向高速度、高密度和低功耗的方向发展。尽管DRAM 的数据传输速度已达到极限并且远远低于当前最新科技水平的微处理器，但它仍然是目前系统存储器中的主流力量。基于深槽电容单元或堆栈电容单元有两种最主要的DRAM 技术。图3.16说明了在CMOS 基准上添加深槽电容与堆栈电容流程来形成 DRAM的工艺流程。堆栈单元在CM...

伴随着CMOS器件工艺特征尺寸持续地按比例缩小到14nm 及以下技术节点以后，通过采用三维器件结构，从垂直方向进一步增大沟道宽度，进而增加沟道电流。这种具有垂直方向沟道的新颖三维晶体管被称为鳍式场效应晶体管或 FinFET。目前成熟的14nm节点制造工艺，在单一方向，晶圆上组成沟道的鳍片薄而长，宽为7~15nm，高15～30nm，重复间距40~60nm。图3.15 给出鳍式场效应晶体管集成制...

CMOS逻辑产品工艺流程是制造32nm 或更早工艺节点的主导工艺流程，如图3.14中左边所示。随着 CMOS工艺特征尺寸继续按比例缩小到28nm 及更小时，需要采用能够减少栅极漏电流和栅极电阻的高-k栅介质层和金属栅电极以提高器件速度。这些新功能通过采用栅最后形成或置換金属栅（Replacement Metal-Gate, RMG）工艺成功地整合到CMOS 制造工艺流程当中，它类似于栅先形成...

6 月 2 日消息，据中国科学院官方微博转中国科学报报道，中国科学院上海硅酸盐研究所史迅研究员、陈立东院士团队，联合上海交通大学魏天然教授团队，发现一类特殊的脆性半导体在 500K 下具有良好的塑性变形和加工能力，并建立了与温度相关的塑性物理模型，在半导体中实现了类似金属的塑性加工工艺，为丰富无机半导体加工制造技术、拓展应用场景提供了重要支撑。相关研究成果已发表于《自然-材料》。报道提到，半...

尽管全行业仍在努力推动开发和采用全自动“熄灯”制造系统，但相当一部分涉及制造的活动仍然需要人手的技能和灵巧性。在制造业中使用虚拟现实（VR）和增强现实(AR)可以帮助人类精确和高效地执行这些任务…

在高k金属栅之外，另一种等效扩充的方法是增加通过器件沟道的电子或空穴的迁移率。表2.5列举了一些提高器件载流子迁移率的手段及其对 PMOS或者 NMOS的作用。应力技术是提高MOS 晶体管速度的有效途径，它可改善NMOS晶体管电子迁移率和PMOS晶体管空穴迁移率，并可降低MOS 晶体管源/漏的，应变硅可通过如下3种方法获得：①局部应力工艺，通过晶体管周围薄膜和结构之间形成应力；②在器件沟道下...

射频集成电路 Radio Frequency Integrated Circuits（RFIC）

微机电系统制造（MEMS）

微波单片集成电路（MMIC）

湿法蚀刻（Wet Etching）

双极互补双扩散金属-氧化物一半导体集成电路，雙極-互補-雙擴散金氧半積體電路， Bipolar-CMOS-DMOS IC

侵入式攻击，侵入式攻擊，Invasive Attacks

一般认为，当硅材料的尺寸在1nm至数十纳米时，可以被称为“纳米硅”材料，包括硅纳米颗粒(Si Quantum Dots)、硅纳米线(Si Nanowire)、硅纳米管(Si Nanotube)和硅纳米带(Si Nanobelt) 等。

非晶硅(a-Si)是一种以共价无规则的网络原子结构组成的硅材料，即对一个单独的硅原子而言，它与周边的4个硅原子组成共价键，在近邻区域形成有规则的排列:但在更远一点的区域，硅原子则是无规则排列的。

单晶硅，又称硅单晶，是由单一籽晶(晶核)生长的单晶体的硅材料，它具有晶格完整、缺陷很少、杂质很少等特点，是集成电路的基体材料。

直拉硅片是用于制造集成电路的硅材料，分为硅抛光片和硅外延片两大类。常用的硅抛光片为p型、<100>晶向，电阻率为3～6Ω.cm、8~12Ω.cm、15~25Ω.cm等。常用的硅外延片是以重掺硼硅片为村底的外延片。

研磨液颗粒计数仅(Accusizer) 是利用单颗粒光学传感器(Signal Particle Optics Sensor, SPOS)对液体中的颗粒进行粒径测试并计数的一种分析仪器。

空气环境中两大主要因素：湿度、温度，它们对人们的生活、工作以及工业生产都意义深重，影响颇大。在涂装行业中，是必须严格管控车间环境中的温湿度情况的，而喷雾加湿器设备作为一个简单的调温调湿设备在这一个行…

在电子系统设计中，为了少走弯路和节省时间，应充分考虑并满足抗干扰性的要求，避免在设计完成后再去进行抗干扰的补救措施。形成干扰的基本要素有三个：(1)干扰源，指产生干扰的元件、设备或信号，用数学…

我们的生活环境中充满了各种各样能量，例如振动能、化学能、生物能、太阳能和热能等，但这些能量多数未被利用起来或者利用率极低。纳米发电机是基于规则的氧化锌纳米线，在纳米范围内将机械能转化成电能，号称世界…