微机电系统制造（MEMS）

微机电系统（Micro Electro Mechanical System, MEMS) 制造中特有的常用工艺技术包括湿法刻蚀、干法刻蚀、牺牲层技术、键合技术、空腔-SOI。其中，湿法刻蚀与干法刻蚀在标淮 CMOS 工艺中也较为常见，但在 MENS 工艺中却有所不同。

MEMS 工艺中的湿法刻蚀与 CMOS 工艺相比，最大的不同在于刻蚀深度，以及巧妙地利用各向异性湿法刻蚀实现对刻蚀图形的精确控制，或者得到悬浮结构；而对于 CMOS 而言，湿法刻蚀常用于薄膜的去除，如硬掩模材料氧化硅、氮化硅等，CMOS 加工较少关注各向异性湿法刻蚀技术，而更加关注腐蚀液对不同材料的选择比。MEMS 工艺中的干法刻蚀与 CMOS 工艺相比，最大的不同在于刻蚀深度（1~100umn 量级），以及对刻蚀深宽比的要求；而对于 CMOS 工艺而言，干法刻蚀常用于掩模图形的刻蚀，刻蚀厚度较小（纳米量级），刻蚀深宽比要求不高，但对形貌、精度、均匀性、选择性等要求很高。