前处理工艺-----------纳米集成电路制造工艺 张汝京等 编著
在进行 Ti/TiN沉积之前，wafer 还要进行前处理，一是加热（degas） 去除 ILD layer 里的水汽和从上道工艺可能残留下来的聚合物（polymer），二是用氩气进行离子轰击（Ar pre-clean）去除 wafer 表面的氧化物。
传统的 degas chamber 一般采用灯泡（lamp）加热，到了300mm时，出现了加热效率更高 DMD （Dual-Mode Degas）chamber,wafer 正面用灯泡加热背面用电阻（heater）加热。DMD 的另一个优点是杂质气体去除效率高。随着ILD 材料的变化，degas 的制程也要做相应的调整。在65nm 世代及以前，主要的ILD 工艺是HDP，其材料相对致密，吸附的水汽较少。到了 45nm，由于多晶硅侧墙（spacer）的间距（space）缩小，引入了具有更好 gap fill 能力的HARP 工艺。HARP是一种SACVD工艺，由于没有HDP中的离子轰击步骤，薄膜的致密性要比 HDP 差，吸附的水汽就相对多，相应的degas 的温度和时间就要升高和延长。但是，degas 的温度和时间也要控制。因为65nm 及以下世代，使用 NiSi做 Source/Drain 和Poly line 的硅化物，NiSi 的缺点是热稳定性差，过多的热量（thermal budget）会使 NiSi向NiSi2转变，RC和器件漏电都会增加。
Ar pre-clean的作用是通过离子轰击去除基体表面的氧化物。Ar pre-clean chamber 主要由高频（RF2）、低频电源（RF1）和一个石英罩构成，其结构如图6.17所示。RF1作用是加速粒子撞击以产生等离子，故选择对加速离子有利的低频电源，频率一般在 400kHz。RF2 的作用是产生负的偏压。在交流电作用下，正负电荷会不断改变自己的运动方向。负电荷由于质量轻运动速度就快，在电场改变方向以前，可能就已到达 wafer 表面并逐渐累积起来，最后形成较大的负偏压，吸引正的Ar 离子来轰击 wafer 表面。频率越高，形成的负压越大，clean的效率越高。现在 RF2 的频率为13.56MHz。但是这种轰击没有选择性，当氧化物被去除以后，Ar 离子会继续刻蚀基体，使部分硅化物也被去除，导致 RC增加。所以，在进行工艺开发时，Ar pre-clean 的时间和功率（power）都要调整，通过DOE找到合适的工艺参数，达到既能保证氧化物被彻底清除，又能尽量避免对硅化物的损伤的目的。
Siconi 是新的 Pre-clean 工艺，它实际是一种dry etch 工艺，反应原理如下：
Siconi 的优点是采用了 remote plasma，所以不存在PID 问题。而且由于是气体反应，与采用物理轰击的 Ar pre-clean 工艺相比较少受 contact A/R 的影响。所以，用做 contact的 pre-clean 时，Siconi 主要应用在具有较高 A/R（＞20:1）的dram 制程，logic 制程还是Ar pre-clean.