盖帽层 TiN 沉积-----------纳米集成电路制造工艺 张汝京等 编著

盖帽层（cap layer）TiN 主要是为了保护 Ni-Pt 薄膜，对阶梯覆盖率和不对称性的要求较低，因此，通常采用标准的 PVD方式，其反应腔的结构简图如图 6.16所示。