PCRAM----纳米集成电路制造工艺 张汝京等 编著

相变存储器顺利 朝向低操作电压、高编程速度、低功耗、廉价和高寿（10⁸～10¹⁴）的方向发展，这种技术有望在未来取代NOR/NAND 甚至是DRAM。相变存储器最常见的材料是在“蘑菇”形单元（见图3.23）中的带有掺杂（一些N和 O）的GST 硫化物合金（一种介于 GeTe 和Sb₂Te₃之间的伪二元化合物）。减小单元结构中用于转换无定形（高阻）和晶化（低阻）状态的底部加热器尺寸和材料的临界体积可以获得更小的 RESET电流。结晶化和结构弛豫的原理最终限制了尺寸和可靠性，超薄的相变材料厚度为3~10nm。工艺流程如图3.24所示。PCRAM单元可以在钨塞上制成，其代价是仅仅在BEOL 中增加一块掩模版，其他所有流程与标准 CMOS流程一致。