RRAM----纳米集成电路制造工艺 张汝京等 编著

双稳定态电阻开关效应被发现存在于钙钛矿氧化物（如 SrTiO3，SrZrO3（SZO），PCMO, PZTO）、过渡金属氧化物（如Ni-O,Cu-O, W-O, TiON,Zr-O,Fe-O）、固体电解质甚至聚合物中。开关机制（而不是结构相变）主要基于导电纤维的生长和破裂，这与金属离子、O离子/空穴、去氧化、电子俘获/反俘获（mott 过渡）、高场介电击穿和热效应有关。RRAM 单元主要包括一个选择晶体管和一个 MIM（金属-绝缘体-金属）电阻作为电阻开关材料（见图3.25）。RRAM看上去比较有前景缘于其可扩展性、低电压操作以及和BEOL 的兼容性（特别是以基于Cu-O和W-O的单元）。RRAM 的工艺流程如图 3.26所示。