FeRAM----纳米集成电路制造工艺 张汝京等 编著

FeRAM基于电容中的铁电极化，（相对于传统的浮栅闪存）有低功耗、低操作电压（1V）、高写寿命（10¹²）和编程快（＜100ns）等优点。铁电 MiM 电容（见图3.21）可与后端制程（BEOL）集成，电容被完全封闭起来（避免由磁场强度引起的退化）。铁电电容的工艺流程如图3.22所示。FeRAM 中研究最多的材料是 PZT （PbZr_xTi_xO₃），SBT（SrBi₂Ta₂O₉），BTO （Bi₄Ti₃O₁₂），它们拥有抗疲劳、工艺温度低、记忆性好、剩余极化高等令人满意的特性。一晶体管一电容（1TIC）（作为非挥发存储单元）的单元结构是最常用的；而1T2C和2T2C单元则对工艺偏差有更强的适应性，并有更好的性能。需要注意的是拥有铁电栅介质的FET单元由于较差的记忆性（几小时或几天）而使其应用受到限制，并且与前端制程（FEOL）不兼容。