应用材料-----------纳米集成电路制造工艺 张汝京等 编著

在2009 年，应用材料公司（AMAT）发布了用于32nm 及其以下工艺节点的AdvantEdge Mesa 硅刻蚀机。Mesa 利用了应用材料公司多代成熟的产品技术和丰富的经验，突破性的ICP设计去除了ICP 功率耦合的固有特征，从而改进了M形刻蚀速率均匀性。eMax CT⁺是应用材料公司第一个以两个不同偏置功率、双气区和SiC 涂层表面为特征的介质刻蚀机。两种机型的目标都是要改进CD 的均匀性。2009年推出的 Enabler E5具有一个专利技术的超高频（VHF）源，采用磁场和多个独立的气体注入控制离子流量。所有这些特征，导致其在一体化的后端工艺集成和高深宽比（HAR）接触刻蚀中具有特殊的能力。超高频混合是动态等离子均匀性控制的一个有效的技术，它能够使腔室运行在保持超薄光刻胶完整性的低分解高选择性模式，也可以运行在有效地去除光刻胶和刻蚀后残余物的高分解模式。有效的腔室清洗能力，高纯的抗等离子刻蚀的腔室材料，二者协同效应的结果提供了一个稳定、清洁的腔室条件。