自对准硅化物-----------纳米集成电路制造工艺 张汝京等 编著

图6.6是标准的Endura 物理气相沉积（PVD）镍-铂合金薄膜的机台结构，主要包括三部分：预清洁处理腔（preclean）、镍-铂（Ni-Pt）合金薄膜沉积腔和盖帽层（cap layer）TiN沉积腔。其中根据具体工艺需要，每种腔室可以有一个或多个，以达到最佳的工艺速度。这些工艺腔室被集成在两个较大的公用腔室上，所有的腔室都是高真空的，要达到10^-6托以下，并采用逐级真空，其中，反应腔的真空度最高。工艺过程中，硅片（wafer）先进入预清洁处理腔，以去除硅片表面的自然氧化物（native oxide），然后进入镍-铂合金薄膜沉积腔沉积一层镍-铂合金薄膜，最后进入TiN沉积腔生成盖帽层。下面对这三种工艺腔进行详细描述。