SMT 技术的分类-----------纳米集成电路制造工艺 张汝京等 编著

在业界早期的探索中，SMT 出现了许多流派：

（1）源、漏极离子注入完成之后，采用低应力水平的膜层（如二氧化硅）作为保护层，对多晶硅栅极进行高温退火；

（2）源、漏极离子注入完成之后，采用高应力水平的膜层（如高应力氮化硅）作保护层，再对多晶硅栅极进行高温退火；

（3）沉积高应力水平的膜层之后，直接做高温退火，而不采用预先的离子注入非晶化过程。

在这三大流派下面，还有很多具体的分支，诸如离子注入的条件差异、应力膜系的选择、退火条件的不同等。随着研究的逐步深入以及工业应用的反馈，上述第二种流派被越来越多的业者青睐，已经成为SMT 的主流技术。而事实上，在这一分支下，仍有许多探索和实验在进行。有研究表明传统的 SMT 技术会降低 PMOS 器件的驱动电流，如图5.10所示，NMOS 速度可以提高10%以上，而PMOS 却有15%的衰减。那么如何解决 SMT的这种负面效应呢？研究者再次给出了不同的答案：比较传统的思路是，在完成高应力膜层（通常是氮化硅）沉积之后，额外增加一层光刻和刻蚀，去除 PMOS区域的薄膜，再进行高温退火。但这种方法会消耗更多的制造成本，而且引入多一层光刻和刻蚀，也会给工艺控制带来更多的变异，因此有学者提出通过改善应力膜层自身特性的方法，达到既可以提高 NMOS的器件速度，又不损伤 PMOS 性能。