刻蚀停止层与铜阻挡层介电常数材料-----------纳米集成电路制造工艺 张汝京等 编著

在65nm、90nm 和 130nm 技术所用的 copper barrier and etching stop layer 介电常数材料的k值是5.1左右。

对于 45nm 和 32nm 技术，为了减少介电常数材料的k值对RC delay 的影响，采用bilayer etching stop layer and copper barrier 介电常数材料。第一层仍然采用k值是5.1薄膜材料，具有好的 copper barrier 效果，第二层采用k值是3.8薄膜材料，在一定程度上可以减少器件 RC delay。 4.31表示 bilayer etching stop layer and copper barrier 介常数材料的TEM 照片，第一层的厚度大约为 50A，第二层的厚度大约为250A。