k为2.5的超低介电常数材料-----------纳米集成电路制造工艺 张汝京等 编著

低介电常数层间绝缘膜（低k材料）的用途为减小布线间的电容。布线间的电容与绝缘膜的相对介电常数和布线的横截面积成正比，与布线间隔成反比。伴随加工技术的微细化，布线横截面积和布线间隔越来越小，结果导致布线间电容的增加。因此，为了在推进加工技术微细化的同时又不至于影响到信号传输速度，必须导入低k材料以减小线间电容，从而可以很好地减少电信号传播时由于电路本身的阻抗和容抗延迟所带来的信号衰减。

为了获得介电常数小于或等于2.5的低k材料，研究出一种通过在有机硅化合物玻璃中对低k材料进行紫外光热（ultraviolet radiation）处理，图4.28 表示超低介电常数（＜2.5）的多孔薄膜的沉积工艺。图 4.29是沉积超低介电常数（＜2.5）的多孔薄膜的设备，图4.30是超低介电常数（＜2.5）的多孔薄膜的照片。表4.10表示超低介电常数（＜2.5）的多孔薄膜的特性。