RC delay 对器件运算速度的影响-----------纳米集成电路制造工艺 张汝京等 编著

式中，R是连接导线的电阻，其中一些常见金属导体的电阻（单位 μΩ•cm）如下：

W/AI 合金的电阻是4；

Al 合金的电阻是3；

Cu电阻是1.7。

C与绝缘体（insulator）的介电常数相关，列举一些常见绝缘材料的介电常数：

SiO₂的介电常数是4；

fluorine silicon glass 的介电常数是 3.5；

black diamond 的介电常数是3。

互连中导线的电阻（R）可以用下面的公式计算

式中，p是导线的电阻率；L是导线的长度；P是导线的宽度；T是导线厚度。

从式（4-3）中可以看出，导线的宽度P与电阻成反比。随着晶体管尺寸不断缩小，电路也愈来愈密集，相应地会减小导线的宽度P，在一定程度上会增加R值。

互连中导线的电容（C）是在金属之间的寄生电容（见图4.25），可以用下面的公式计算

式中，k是材料的介电常数，εo是真空介电常数。

合并式（4-3）和式（4-4）可得

从式（4-5）可知，RCock，图 4.26 表示 RC delay 随着器件尺寸的减小而增加（在没有使用新材料的条件下）。

材料的介电常数k与真空介电常数之间的关系为

式中，k是材料的介电常数；εo是真空介电常数；N是每立方米中的分子数；ae是电子云的极化率；ad是原子核的变形率；k是永久电偶极矩。