SACVD 薄膜生长的选择性-----------纳米集成电路制造工艺 张汝京等 编著

像所有其他 SACVD O₃-TEOS工艺一样，HARP 沉积工艺也对衬底材料表现出了很高的敏感性。如表4.7所示，HARP 在SiO₂上比在SiN上的沉积速率慢。这种敏感性与温度、O₃-TEOS比例以及压力有非常强的关系，所以当评价 HARP 在 CMP 的沟槽中的loading 时，HARP 的表面敏感性也需要被考虑在内。

Qimonda 等公司报道了利用SATEOS 对衬底的敏感性，实现了薄膜在沟槽中选择性生长，从而得到从下到上的填充效果。但是具体通过什么处理以及采用什么样的条件，并没有详细的报道。

随着器件尺寸的继续减小，seam 对填充的影响会越来越大，应用材料公司在 HARP系统中引入 H₂O将是32nm或22nm 的发展方向，另外通过刻蚀对HARP 沉积中的轮廓进行修正也变得越来越重要。