SACVD 沉积后的高温退火-----------纳米集成电路制造工艺 张汝京等 编著

由于SACVD形成的SiO₂薄膜质量较差，所以在用于浅沟槽隔离时，在薄膜沉积完成后需要进行高温的退火以提高薄膜的密度和吸潮性。目前退火主要包括：水蒸气退火＋N₂干法退火或N₂干法退火。在高温退火的过程中，由于薄膜中存在氧（薄膜中残存的或吸潮形成的O-H键），沟槽间的有源区会被进一步氧化而使得有源区面积损失；而水蒸气退火更会使得活性Si面积损耗得更加严重。可以通过降低蒸气退火的温度或/和减少退火时间来减轻这个问题（见图 4.22）。通过在STI 沟槽侧壁上插入SiN 衬垫也可以预防损失，同时退火条件对HARP填充能力也有一些影响。由于在干法退火后 HARP 薄膜大量收缩，所以有时在沟槽内部可以发现裂缝。与此相反，蒸气退火可使 HIARP收缩减少，从而获得更好的填充效果。