高密度等离子体化学气相沉积工艺--HDP-CVD 常见反应-----------纳米集成电路制造工艺 张汝京等 编著

HDP-CVD 可用于金属形成前或形成后。某些金属如 NiSix 或AI 会对形成后的工艺温度有一定限制，而在 HDP-CVD 反应腔中高密度等离子体轰击硅片表面会导致很高的硅片温度，另外，高的热负荷会引起硅片的热应力。对硅片温度的限制要求对硅片进行降温，在 HDP-CVD 反应腔中是由背面氦气冷却系统和静电卡盘（electrostatic chuck）共同在硅片和卡盘之间形成一个热传导通路，从而来降低硅片和卡盘的温度。

HDP-CVD 的反应包含两种或多种气体参与的化学反应。根据沉积的绝缘介质掺杂与否及掺杂的种类，常见的有以下几种：

（1）非掺杂硅（酸盐）玻璃（un-doped silicate glass, USG）

（2） 氟硅（酸盐）玻璃（fluorosilicate glass, FSG）

（3）磷硅（酸盐）玻璃（phosphosilicate glass, PSG）