界面层----纳米集成电路制造工艺 张汝京等 编著

高k介质的一个挑战是维持器件的高驱动电流，如前所述，在高k介质上面采用金属电极取代多晶硅，可以减少沟道内电子迁移率损失，但还需要在高k介质和 Si 基底之间加入SiO₂/SiON 作为界面缓冲层，进一步改善电子迁移率。界面层还有助于界面的稳定性和器件的可靠性，因为在以前多个技术节点，SiO₂/SiON 与Si基底界面的优化已经研究得十分深入了。当然，界面层的存在也有不利的一面，它使得整体栅极介质（由低k值的SiO₂/SiON 和高k值的HfO₂族介质构成）的k值降低，从而影响 EOT的降低，所以必须严格控制它的厚度。

界面层的形成可以采用Si的高温氧化（如ISSG 工艺），或化学氧化来实现。